onsemi FCP11N60

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 11 A, 380 mΩ, TO-220
$ 1.562
Production
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DistributorSKUMinPkg
VericalFCP11N60950950
Rochester ElectronicsFCP11N60172
23h
DigiKeyFCP11N60-ND1.6021Tube
NewarkFCP11N600150
Onlinecomponents.comFCP11N600250Bulk

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IHS

onsemi

Farnell

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiFCP11N60
InfineonSPP11N60C3XKSA1
InfineonSPP11N60C3XKSA1
Price @ 1000
$ 1.562
$ 1.246
$ 1.246
Stock
213,690
829,063
829,063
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
11 A
Threshold Voltage
5 V
-
-
Rds On Max
380 mΩ
380 mΩ
380 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
20 V
20 V
Power Dissipation
125 W
125 W
125 W
Input Capacitance
1.49 nF
1.2 nF
1.2 nF

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

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Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FCP11N60, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 11 A, 380 mΩ, TO-220
onsemi
N-Channel 600 V 0.38 O 125 W 52 nC Flange Mount SuperFET FRFET Mosfet - TO-220
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail
Verical
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):320mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:11A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Pulse Current Idm:30A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
SuperFET® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s first genera-tion of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switch-ing performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Con-sequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Fairchild Semiconductor

Bilder

RS
TME
Farnell
Future Electronics
Conrad
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FCP11N60.