onsemi CNY17F1VM
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Stock
140,350
250,455
Authorized Distributors
6
6
Case/Package
PDIP
DIP
Number of Pins
6
6
Number of Channels
1
1
Isolation Voltage
4500 Vrms
4500 Vrms
Current Transfer Ratio
40 %
40 %
Rise Time
4 µs
4 µs
Fall Time
20 µs
20 µs
Output Voltage
70 V
100 V
Output Current
-
-
Forward Voltage
1.65 V
1.65 V
Forward Current
60 mA
60 mA
Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2005-10-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi CNY17F1VM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 6-Pin PDIP White Bulk
6-Pin DIP High BVCEO Phototransistor Output Optocoupler
70V 4170V 50mA 0.4V@2.5mA,10mA 1 6V 1.15V DC DIP-6 Optocouplers - Phototransistor Output ROHS
Transistor Output Optocouplers Optocoupler Phototrans No Base
The CNY17XM, CNY17FXM and MOC810XM devices consist of a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with an NPN phototransistor in a dual in-line package.
Optocoupler, Transistor, 4.17Kv, Dip-6; No. Of Channels:1 Channel; Optocoupler Case Style:Dip; No. Of Pins:6Pins; Forward Current If Max:60Ma; Isolation Voltage:4.17Kv; Ctr Min:40%; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:70V Rohs Compliant: Yes |Onsemi CNY17F1VM
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackagePDIP
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins6
Weight855 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage70 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 mV
Current Transfer Ratio40 %
Dark Current50 nA
Fall Time20 µs
Forward Current60 mA
Forward Voltage1.65 V
Isolation Voltage4500 Vrms
Max Collector Current50 mA
Max Input Current60 mA
Max Operating Temperature100 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Current per Channel50 mA
Output Voltage70 V
PackagingBulk
Power Dissipation250 mW
Reverse Breakdown Voltage6 V
Rise Time4 µs
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen