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$ 0.246
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Stock
14,521,015
619,998
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Authorized Distributors
2
6
6
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-225
SOT-32
SOT-32
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
200 MHz
10 MHz
10 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
-
40 W
40 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BD680G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
4.0 A, 80 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Pnp, -80 V, 200 Mhz, 40 W, -4 A, 750 Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD680G
BD Series 80 V 4 A Medium Power Silicon PNP Darlington Transistor - TO-225
PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON PNP DARLINGTON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2.5V@ 30mA,1.5A PNP - Darlington 40W 5V 500¦ÌA 80V 80V 4A TO-126 7.74mm*2.66mm*11.04mm
This series of plastic medium-power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-225; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd; Available until stocks are exhausted Alternative available
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 4 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 80 / DC Current Gain (hFE) = 750 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 80 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 40 / Package Type = TO-225 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Bulk Box / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 2.5 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-225
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight17.491656 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Schedule B8541290080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height11.04 mm
Length7.74 mm
Width2.66 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen