STMicroelectronics BD680
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Stock
619,998
32,933
Authorized Distributors
6
3
Mount
Through Hole
-
Case/Package
SOT-32
TO-225
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
10 MHz
1 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.8 V
hFE Min
750
750
Power Dissipation
40 W
40 W
Lieferkette
Country of OriginIndia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BD680, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANSISTOR, DARLINGTON, PNP, POWER, SWITCH, VO -80V, VI -5V, IO -4A, PD 40W, SOT-32
BD6xxx Series PNP 80 V 4 A Complementary Power Darlington Transistor - SOT-32
COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Darlington Transistor, Darlington, PNP, 80 V, 40 W, 4 A, TO-126, 3 Pins
TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32 / Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
TRANS, PNP, 60V, 4A, 150DEG C, 40W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; RF Transistor Case:TO-126; No. of Pins:3Pins; DC Current Gain hFE:750hFE RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation40 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height10.8 mm
Length7.8 mm
Width2.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant