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Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

onsemiBC847BDW1T1G

onsemiBC847BDW1T3G

Price @ 1000

$ 0.046

$ 0.041

Stock

43,477,818

25,241,432

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-363-6

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

45 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

600 mV

hFE Min

200

Power Dissipation

380 mW

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BC847BDW1T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar Transistors (BJT); BC847BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 45 V; 100 mA

Maritex

Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 380 mW

Avnet

ON SEMI BC847BDW1T1G DUAL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 45 V, 6-PIN SC-88

RS (Formerly Allied Electronics)

ON Semiconductor BC847BDW1T1G NPN bipolar transistor tape full reel

Rapid Electronics

NPN DUAL GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

ComSIT Distribution GmbH

BC Series 45 V 100 mA SMT NPN Silicon Dual General Purpose Transistor - SOT-363

Future Electronics

45V 380mW 200@2mA,5V 100mA 2 NPN SOT-323-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

100 mA 45 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Component Stockers USA

onsemi NPN Transistor SOT-363 (SC-88) SMD 100mA 45V

UnikeyIC

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT-363-6; Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Power Dissipation Pd: 380mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transistor Case Style: SOT-

Farnell

Bilder

element14

Augswan

element14

South Microelectronics

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

BC847BDW1T1G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -16.27%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Contact PlatingTin

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)50 V

Collector Emitter Breakdown Voltage45 V

Collector Emitter Saturation Voltage600 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V

Current Rating100 mA

Element ConfigurationDual

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

Frequency100 MHz

Gain Bandwidth Product100 MHz

hFE Min200

Max Breakdown Voltage45 V

Max Collector Current100 mA

Max Frequency100 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation380 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation380 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency100 MHz

Voltage Rating (DC)45 V

Dimensions

Height900 µm

Length2 mm

Width1.25 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi BC847BDW1T1G herunter.