onsemi BC846BWT1G

Name: onsemi BC846BWT1G
Brand: onsemi
SKU: BC846BWT1G

Bipolar Transistors (BJT); BC846BWT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 65 V; 100 mA

$ 0.034

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	BC846BWT1G	4.374.000	3K						0,011	4h
Newark	3	BC846BWT1G	70.153	1	Cut Tape	0,145	0,088	0,057	0,038	0,038
Verical	3	BC846BWT1G	576.000	3K						0,024
Arrow Electronics		BC846BWT1G	576.000	3K						0,024
Future Electronics		BC846BWT1G	45.000	3K	Tape & Reel					0,016

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Newark

Datasheet13 SeitenVor 11 Jahren

Datasheet6 SeitenVor 19 Jahren

Datasheet14 SeitenVor 11 Jahren

IHS

onsemi

Master Electronics

iiiC

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onsemiBC846BWT1G

Diodes Inc.BC846BW-7-F

Price @ 1000

$ 0.034

$ 0.043

Stock

35,205,660

1,271,808

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-323

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

65 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

100 MHz

300 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

600 mV

hFE Min

200

Power Dissipation

150 mW

200 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-04-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BC846BWT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar Transistors (BJT); BC846BWT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 65 V; 100 mA

Maritex

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Surface Mount

Avnet

NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

ComSIT Distribution GmbH

ON SEMI BC846BWT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 65 V, 3-PIN SC-70

RS (Formerly Allied Electronics)

BC Series 65 V 100 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-323

Future Electronics

General Purpose Transistors NPN Ic=100mA Vceo=65V hfe=200~450 P=200mW SOT323

HQonline

NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor Case Sty

Farnell

Bipolar Transistor, Npn, 65V, Sc-70, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:65V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:150Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC846BWT1G.

Newark

Bilder

Newark

element14 APAC

Augswan

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

LZChips

LCSC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

BC846BWT1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSC

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)80 V

Collector Emitter Breakdown Voltage65 V

Collector Emitter Saturation Voltage600 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V

Current Rating100 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

Frequency100 MHz

Gain Bandwidth Product100 MHz

hFE Min200

Max Breakdown Voltage65 V

Max Collector Current100 mA

Max Frequency100 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.4 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation150 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency100 MHz

Voltage Rating (DC)65 V

Dimensions

Height900 µm

Length2.2 mm

Width1.35 mm