onsemi BC817-16LT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BC817-16LT1G | 1.026.000 | 3K | 21h | ||||||||
| Future Electronics | BC817-16LT1G | 198.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | BC817-16LT1G | 1.584 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Master Electronics | BC817-16LT1G | 210.000 | 3K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | BC817-16LT1G | 210.000 | 3K | Bulk |
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 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Stock
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
300 mW
300 mW
300 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiBC817-40LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC817-16LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Bipolar Transistors (BJT); BC817-16LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 45 V; 500 mA
45V 300mW 100@100mA,1V 500mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
45 V, 500 MA NPN GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
General Purpose Transistors NPN Silicon VCEO=45V VEBO=5V IC=500mA SOT23
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, NPN, 45V, 500MA, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 100hFE;
RF TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MHZ, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:45V; Continuous Collector Current:500mA; Power Dissipation:300mW; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Voltage15 V
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen