onsemi BC639ZL1G
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$ 0.132
$ 0.063
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Stock
87,689
210,371
210,371
Authorized Distributors
1
2
2
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-92-3
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiBC639-16ZL1G
Tape & Box (TB) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 150mA 2V 100nA ICBO 625mW 200MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC639ZL1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tape & Box (TB) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 150mA 2V 100nA ICBO 625mW 200MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
High Current NPN Bipolar Transistor hFE 40 to 160
1000 mA 80 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-226
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen