onsemi BC517G
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 0.095
$ 0.102
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Stock
61,152
269,676
269,676
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
-
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
1 A
1.2 A
1.2 A
Transition Frequency
200 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
30000
30000
30000
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2015-05-08
LTD Date2015-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiKSD471AGTA
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC517G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Bulk Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 30000 @ 20mA 2V 500nA 625mW 200MHz
NPN Bipolar Darlington Transistor
1000 mA 30 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-92
Trans Darlington NPN 30V 1A 3-Pin TO-92 Bulk
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; No. of Pins:3Pins; Transistor Mounting:Through Hole; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Qualification:-; Collector Emitter Voltage Max:30V RoHS Compliant: Yes
BIPOLAR Transistor, NPN, 30V, TO-92; BIPOLAR Transistor, NPN, 30V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:30000; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min30000
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen