onsemi BC237BZL1G
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Obsolete
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Price @ 1000
$ 0.044
$ 0.036
$ 0.036
Stock
16,510
100,103
100,103
Authorized Distributors
1
4
4
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
-
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Verwandte Teile
onsemiBC182BRL1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
onsemiFJN3304RBU
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC237BZL1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tape & Box (TB) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 2mA 5V 15nA 350mW 200MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
TRANS NPN 45V 100MA TO92-3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min200
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen