onsemi BC237BG
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$ 0.036
$ 0.086
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Stock
106,055
83,865
83,865
Authorized Distributors
2
1
1
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
-
1 W
1 W
Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2014-12-31
LTD Date2015-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC237BG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin TO-92 Box
TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, TO-92; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 150hFE; Tra
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min200
Max Collector Current100 mA
Max Frequency200 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen