onsemi 2SD1816T-TL-E
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Lieferkette
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Verwandte Teile
onsemi2SD1815S-TL-E
Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 140 - 280
Diodes Inc.ZXTN04120HKTC
Bipolar Array, Npn, 120V, 1.5A, To252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTN04120HKTC
ROHM2SD1733TLP
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD1733TLR
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SD1816T-TL-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252
Bip Transistor 100V, 4A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA
ON SEMI 2SD1816T-TL-E NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 4 A, 100 V, 3-PIN TP-FA
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR,NPN,100V,4A,TP-FA; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V; Typ Gain Bandwidth ft:180MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:400; Transistor Case Style:TP-FA; No. of Pins:3; Case Style:TP-FA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min200
Max Collector Current4 A
Max Frequency180 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Transition Frequency180 MHz
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.5 mm
Width5.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen