onsemi 2SD1816S-TL-E
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Stock
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1,074,118
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-252-3
TO-252-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
180 MHz
180 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
hFE Min
140
140
Power Dissipation
-
-
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
ROHM2SD2118TLQ
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.ZXTN04120HKTC
1.5V@ 1mA,1A NPN - Darlington 3.9W 14V 100nA 140V 120V 1.5A TO-252-3 SMD mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SD1816S-TL-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252
2SD1816S Series 100 V 4 A Surface Mount NPN Bipolar Transistor - TP-FA-2
ON SEMI 2SD1816S-TL-E NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 4 A, 100 V, 3-PIN TP-FA
100V 20W 140@0.5A,5V 4A NPN TO-252 Bipolar (BJT) ROHS
400mV@ 200mA,2A NPN 1W 6V 1μA 120V 100V 4A TP-FA SMD mount 6.5mm*6.5mm*2.3mm
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R
TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, TO-251; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Typ Gain Bandwidth ft:180MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:280; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min140
Max Collector Current4 A
Max Frequency180 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Transition Frequency180 MHz
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.5 mm
Width5.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen