onsemi 2SD1624T-TD-E
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Stock
711,511
73,351
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
-
SOT-89
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
150 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
350 mV
-
hFE Min
200
200
Power Dissipation
500 mW
-
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemi2SD1624S-TD-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP. ONSSPCDDENY1E7M;
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SD1624T-TD-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP. ONSSPCDDENY1E7M;
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-243AA
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
ON SEMI 2SD1624T-TD-E NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 3 A, 50 V, 3-PIN PCP
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
TRANSISTOR, NPN, 50V, 3A, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transisto
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage350 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen