Diodes Inc. 2DC4672-13
$ 0.172
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rutronik | TDSTD8606 | 10.000 | 1 | 4h | ||||||||
| DigiKey | 31-2DC4672-13CT-ND | 552 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | 2DC4672-13 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Avnet | 2DC4672-13 | 0 | 2500 | 23h | ||||||||
| Future Electronics | 2DC4672-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemi2SD1624S-TD-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP. ONSSPCDDENY1E7M;
ROHM2SD2391T100Q
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Diodes Inc.ZXTN25060BZTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 5 A, 4.46 W, SOT-89, Surface Mount
ROHMDTC023YEBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. 2DC4672-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2DC4672 Series 50 V 3 A 2 W NPN SMT Silicon Transistor - SOT-89
50V 900mW 82@500mA,2V 3A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS NPN 50V 3A SOT89-3
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN TRANSISTOR 50V 3A 1W SOT89
TRANSISTOR, NPN, SOT89, 0.9W; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: 180MHz; Power Dissipation Pd: 900mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 82hFE; Transistor Ca
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage105 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency180 MHz
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min45
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency180 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen