onsemi 2SA2013-TD-E
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CAD-Modelle
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
ROHM2SAR533PT100
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DPLS350Y-13
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS PNP 50V 3A SOT89-3
Diodes Inc.DPLS350E-13
DPLS350E Series PNP 1 W 50 V 3 A Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-223
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SA2013-TD-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, -50V, -4A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP
Bipolar Transistors (BJT); 2SA2013-TD-E; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 50 V; 4 A
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V
TRANSISTOR, PNP, 50V, 4A, SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Typ Gain Bandwidth ft:360MHz; Power Dissipation Pd:3.5W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:560; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -12.96%
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Gain Bandwidth Product360 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current4 A
Max Frequency360 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Schedule B8541290080
Transition Frequency360 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen