Diodes Inc. DPLS350E-13
$ 0.159
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DPLS350EDICT-ND | 7.500 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DPLS350E-13 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Avnet | DPLS350E-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Future Electronics | DPLS350E-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DPLS350E-13 | 0 | 250 | Bulk | 14h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DJT4030P-13
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DPLS350E-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
DPLS350E Series PNP 1 W 50 V 3 A Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
300mV@ 200mA,2A PNP 1W 6V 100nA 60V 50V 3A SOT-223-3 6.7mm*3.7mm*1.65mm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen