onsemi 2SA1705S-AN
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-04-18
LTD Date2017-10-18
Verwandte Teile
ROHM2SA1900T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemi2SA1705T-AN
Tape & Reel (TR) Through Hole PNP 3 Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 100nA ICBO 900mW 150MHz
onsemiCPH3116-TL-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3. ONSSPCDDENY1E7M;
NXP SemiconductorsPDTA143ZE,115
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-75 T/R
ROHM2SA1774TLQ
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SA1705S-AN, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, -50V, -1A, Low VCE(sat), PNP Single NMP hFE 140-280
Tape & Reel (TR) Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 100mA 2V 1A 900mW 150MHz
ON SEMI 2SA1705S-AN PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 1 A, 50 V, 3-PIN NMP
Trans GP BJT PNP 50V 1A 900mW 3-Pin NMP T/R
TRANSISTOR, PNP, 50V, 1A, SC-71; Transistor Polarity:PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:-50V; Typ Gain Bandwidth ft:150MHz; Power Dissipation Pd:900mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:280; Transistor Case Style:SC-71; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-180 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product150 MHz
Max Collector Current1 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Operating Temperature-55 °C
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height4.5 mm
Length6.9 mm
Width2.5 mm