onsemi 2N7002L

Name: onsemi 2N7002L
Brand: onsemi
SKU: 2N7002L

Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23 | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

$ 0.065

EOL

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	4	2N7002L	222.000	27K							6d
Newark	3	2N7002L	6.600	1	Cut Tape	0,206	0,206	0,076	0,076	0,076
Verical	5	2N7002L	39.565	256					0,023	0,023
Arrow Electronics	4	2N7002L	39.565	1		0,110	0,055	0,032	0,030	0,023
Master Electronics		2N7002L	102.000	3K						0,026

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Master Electronics

Datasheet4 SeitenVor 18 Jahren

onsemi

IHS

Upverter

Future Electronics

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onsemi2N7002L

onsemi2N7002LT1G

Price @ 1000

$ 0.065

$ 0.057

Stock

6,153,576

169,301,321

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

SOT-23-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

115 mA

Threshold Voltage

2.5 V

1 V

Rds On Max

7.5 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

225 mW

Input Capacitance

50 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date2014-10-31

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)

LTB Date2026-01-01

LTD Date2026-07-01

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi 2N7002L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23 | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

Win Source

MOSFET, N-CH, VDSS 60VDC, RDS(ON) 7.5 OHMS, ID+/-115MA, SOT-23 (TO-236),PD 225MW,-55C

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 60 V 13.5 Ohm 200 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23

Future Electronics

Transistor MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet Japan

MOSFET, N-CH, 60V, 0.115A, 150DEG C; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Source Voltage Vds:60V; On Resistance

element14 APAC

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

Semicontronic

This N-channel enhancement mode field effect transistor is produced using high cell density, trench MOSFET technology. This product minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This product is particularly suited for low-voltage, low-current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, logic level translator, high speed line drivers, power management/power supply, and switching applications.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Newark

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

TME

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

2N7002-L
2N7002L.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)115 mA

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance7.5 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationSingle

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance50 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation200 mW

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape (CT)

Rds On Max7.5 Ω

Schedule B8541210080

Threshold Voltage2.5 V

Turn-Off Delay Time40 ns

Turn-On Delay Time20 ns

Dimensions

Height1.11 mm