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Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

onsemi2N5551BU

onsemi2N5551TA

Price @ 1000

$ 0.063

$ 0.073

Stock

1,723,472

826,171

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-92-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

160 V

Max Collector Current

600 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

150 mV

200 mV

hFE Min

Power Dissipation

625 mW

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi 2N5551BU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

Abacus Technologies

160V 625mW 600mA NPN TO-92 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

2N5551 Series 160 V CE Breakdown 0.6 A NPN General Purpose Amplifier - TO-92-3

Future Electronics

Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk

Avnet Japan

TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, TO-92; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 80hFE; Tra

Farnell

Bilder

Rochester Electronics

Conrad

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

2N5551BU.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -48.75%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-92-3

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight179 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)180 V

Collector Emitter Breakdown Voltage160 V

Collector Emitter Saturation Voltage150 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V

Current Rating600 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

Frequency300 MHz

Gain Bandwidth Product100 MHz

hFE Min30

Max Collector Current600 mA

Max Frequency300 MHz

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation350 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingBulk

PolarityNPN

Power Dissipation625 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency100 MHz

Voltage Rating (DC)160 V

Dimensions

Height5.33 mm

Length5.2 mm

Width4.19 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi 2N5551BU herunter.