NXP Semiconductors AFT09MS007NT1

AFT09MSx Series 30 V 870 MHz N-Channel RF Power LDMOS Transistor - PLD-1.5W-2
$ 5.021
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
NewarkAFT09MS007NT11371Cut Tape
DigiKey
3
AFT09MS007NT1CT-ND4.8291Cut Tape
RFMWAFT09MS007NT101
1d
Future Electronics
2
AFT09MS007NT101KTape & Reel
AvnetAFT09MS007NT101K
2d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für NXP Semiconductors AFT09MS007NT1 herunter.

Future Electronics

Datasheet28 SeitenVor 12 Jahren

IHS

Freescale Semiconductor

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-28.88%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie NXP Semiconductors AFT09MS007NT1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2013-06-06
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

Verwandte Teile

InfineonIRLML6346TRPBF
MOSFET Transistor, N Channel, 3.4 A, 30 V, 0.046 ohm, 4.5 V, 800 mV
Details
VishaySI2300DS-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 68 mO 3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
Details
InfineonIRLHS6376TRPBF
Dual N-Channel 30 V 63 mOhm 2.8 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
Details
Diodes Inc.DMP3130L-7
P-Channel 30 V 77 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Details
VishaySI2371EDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Surface Mount
Details
VishaySI1416EDH-T1-GE3
SI1416EDH-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3.9 A, 30 V, 6-PIN SOT-363
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von NXP Semiconductors AFT09MS007NT1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

AFT09MSx Series 30 V 870 MHz N-Channel RF Power LDMOS Transistor - PLD-1.5W-2
Future Electronics
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W / High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Win Source
射频场效应管, 30V, 941MHZ, PLD-1.5W-2/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t;
element14 APAC
Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V, PLD4L
NXP Semiconductors SCT
Transistor RF FET N-CH 30V 1.8MHz to 941MHz 3-Pin PLD-1.5W T/R
Avnet
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
Verical
182W 12V 2.6V 1N 30V 107pF@ 7.5V 1.83mm
UnikeyIC
RF FET, 30V, 941MHZ, PLD-1.5W-2; Drain Source Voltage Vds: 30VDC; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: 114W; Operating Frequency Min: 136MHz; Operating Frequency Max: 941MHz; RF Transistor Case: PLD-1.5W; No.
Farnell

Bilder

RFMW
Farnell
Lanka Micro
UTSource

Aliasnamen des Herstellers

NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • NXP
  • PHILIPS
  • PHIL
  • NXP USA Inc
  • PHI
  • PHILLIPS
  • NXP SEMI
  • NXP SEMICONDUCTOR
  • PHILIPS/NXP
  • PHILIPS SEMICONDUCTORS
  • PHILIP
  • NXP/PHILIPS
  • PHILIPS SEMICONDUCTOR
  • PHILPS
  • PHILIPS COMPONENTS
  • PHILIPS SEMI
  • PHL
  • PHLIPS
  • NXP Semicon
  • NXP / Freescale
  • PHILL
  • PHILIPS ECG
  • Philips Semiconducto
  • PHILLIP
  • PHILI
  • Philips Semiconductors
  • NXP Semiconductors NV
  • NXP