NXP Semiconductors AFT05MS031GNR1
$ 12.67
EOL
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AFT05MS031GNR1 | 250 | 10h | |||||||||
| DigiKey | 568-AFT05MS031GNR1CT-ND | 881 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | AFT05MS031GNR1 | 0 | 500 | Tape & Reel | ||||||||
| RFMW | AFT05MS031GNR1 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Future Electronics | AFT05MS031GNR1 | 0 | 500 | Tape & Reel |
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2012-05-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-09-30
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsAFT09MS031NR1
AFT09MS Series 40 V 870 MHz N-Channel RF Power LDMOS Transistor - TO-270-2
NXP SemiconductorsMW6S010GNR1
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NXP SemiconductorsMRF6V2010NBR1
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 10 W, 50 V, FM2F
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors AFT05MS031GNR1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
RF Power Transistor, 0.0018 to 0.52 GHz, 31 W P1dB, Typ. Gain in dB is 17.7 @ 520 MHz, 13.6 V, TO-270G-2, LDMOS
RF FET Transistor, 40 V, 294 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270
Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RF FET, 40V, 136MHZ-520MHZ, TO-270
RF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V
RF FET, 40V, 136MHZ-520MHZ, TO-270; Drain Source Voltage Vds: 40V; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: 294W; Operating Frequency Min: 136MHz; Operating Frequency Max: 520MHz; RF Transistor Case: TO-270; No. o
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-270-2
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight547.996282 mg
Technical
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Frequency520 MHz
Gain17.7 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Frequency520 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation294 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power31 W
Test Current10 mA
Test Voltage13.6 V
Voltage Rating40 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen