Nexperia PZTA14,115
$ 0.164
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -39.81%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Nexperia PZTA14,115 herunter.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.164
$ 0.24
$ 0.24
Stock
964,593
940,216
940,216
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223-4
SOT-223-4
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
500 mA
1.2 A
1.2 A
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
20000
20000
20000
Power Dissipation
1.5 W
1 W
1 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia PZTA14,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
PZTA14 Series 30 V 500 mA 1.25 W SMT NPN Darlington Transistor - SOT-223-3
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Trans Darlington NPN 30V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
1.5V@100µA, 100mA NPN Darlington 1.25W 10V 100nA 30V 30V 500mA SOT-223 SMD 6.7mm × 3.7mm × 1.7mm
TRANS NPN 30V 0.5A SOT223; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:30V; Typ Gain Bandwidth ft:125MHz; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:20000; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; Case Style:SOT-223; Max Current Ic Continuous a:100mA; Max Voltage Vce Sat:1.5V; Min Hfe:20000; Power Dissipation:1.25W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -39.81%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min20000
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Transition Frequency125 MHz
Dimensions
Height1.7 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Nexperia PZTA14,115 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen