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Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1997-06-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi PZTA06, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223 / Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Win Source

PZTA06 Series 80 V 1 W 0.5 A Surface Mount NPN General Purpose Amplifier-SOT-223

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

IHS

onsemi NPN Transistor, SOT-223 (SC-73), SMD, 500mA, 80V

UnikeyIC

Npn 80V Bjt Sot223 Sngl Rohs Compliant: Yes

Newark

80V 1W 500mA 100@100mA1V 100MHz 250mV@100mA10mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223-4 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 33.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

PZTA06.
PZTA06....

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -50.01%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)80 V

Collector Emitter Breakdown Voltage80 V

Collector Emitter Saturation Voltage250 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V

Current Rating500 mA

Emitter Base Voltage (VEBO)4 V

Gain Bandwidth Product100 MHz

hFE Min100

Max Collector Current500 mA

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape & Reel

PolarityNPN

Power Dissipation1 W

Schedule B8541210080

Transition Frequency100 MHz

Voltage Rating (DC)80 V

Dimensions

Height1.8 mm