Nexperia PUMH13,115
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Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | PUMH13,115 | 15.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | PUMH13,115 | 166 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | PUMH13,115 | 126.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | PUMH13,115 | 126.000 | 3K | |||||||||
| Rochester Electronics | PUMH13,115 | 8.964.915 | 22h |
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Price @ 1000
$ 0.049
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Stock
36,830,481
4,567,893
4,567,893
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
-
-
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
230 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
100 mV
100 mV
100 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
-
200 mW
200 mW
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 3 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia PUMH13,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
50 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor; R1= 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin TSSOP T/R
Bipolar Transistors (BJT); PUMH13,115; NEXPERIA; NPN; 6
PUMH13 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; \nR1 = 2.2 kO, R2 = 47 kO
PUMH13 Series 30 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - SOT-363
2 NPN pre-biased (Dual) 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS
BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 47KOHM / OPEN, 6-SOT-363; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:47kohm; RF Transistor Case:SOT-363; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 300 / Typical Input Resistor kOhm = 4.7 / Typical Resistor Ratio kOhm = 10 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Package Type = SOT-363 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 100 / Operating Frequency MHz = 230
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363; Digital Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-363; No. of Pins: 6 Pin; Product Range: PUMH13 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Full Power Rating Temperature: 25°C; Module Configuration: Dual; No. of Pins: 6Pins; No. of Transistors: 2; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 200mW; Transistor Case Style: SOT-363; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: Bias Resistor (BRT); Transition Frequency ft: 230MHz; Voltage Vcbo: 50V
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
hFE Min100
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PolarityNPN
Transition Frequency230 MHz
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen