Nexperia PBSS305PX,115

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.421
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IHS

Datasheet15 SeitenVor 16 Jahren

Nexperia

Farnell

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-100%

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-08-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.ZXTP2012ZTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Surface Mount
Diodes Inc.ZXTP2013ZTA
ZXTP2013Z Series PNP 100 V 3.5 A Medium Power Transistor SMT - SOT-89-3
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Diodes Inc.BSR33TA
BSR33 Series PNP 80 V 1 A 1 W Power Transistor - SOT-89
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia PBSS305PX,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
80 V, 4.0 A PNP low VCEsat transistor
Trans GP BJT PNP 80V 4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
420mV@ 235mA,4.7A PNP 600mW 5V 100nA 80V 80V 4A SOT-89 4.6mm*2.6mm*1.6mm
80V 600mW 4A 70@5A2V 100MHz 300mV@4.7A235mA PNP +150¡Í@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency Typ, ft:100MHz; Power Dissipation Pd:2.1W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain Max (hfe):280 ;RoHS Compliant: Yes
TRANS PNP 80V 4A SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:280; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-50mV; Current Ic Continuous a Max:-500mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:600mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • PBSS305PX 115
  • PBSS305PX115