Nexperia MMBT3904,215

Single Bipolar Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23), 3 Pins, Surface Mount
$ 0.025
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
MMBT3904,21542.6511Cut Tape
Rochester ElectronicsMMBT3904,21515.385.923
21h
Future ElectronicsMMBT3904,215276.0003KTape & Reel
Verical
3
MMBT3904,21515.385.92318988
Arrow Electronics
2
MMBT3904,2151.0531

Datenblätter und Dokumente

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Technical Drawing5 SeitenVor 7 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 16 Jahren

element14 APAC

TME

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
NexperiaMMBT3904,215
onsemiMMBT3904LT1G
onsemiMMBT3904LT1G
Price @ 1000
$ 0.025
$ 0.034
$ 0.034
Stock
52,962,772
110,608,633
110,608,633
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
250 mW
225 mW
225 mW

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-04-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia MMBT3904,215, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single Bipolar Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23), 3 Pins, Surface Mount
Avnet
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
IHS
Bipolar Transistors (BJT); MMBT3904,215; NEXPERIA; NPN; 3; 40 V; 200 mA
Maritex
SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 200MA, 3-SOT-23
element14 APAC
NPN switching transistor SOT23 VCEO=40V VEBO=6V IC=200mA
HQonline
Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-236AB T/R
Avnet Japan
200 mA 40 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
Component Stockers USA
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:40V; Typ Gain Bandwidth ft:300MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; Case Style:SOT-23; Max Current Ic Continuous a:10mA; Max Voltage Vce Sat:200mV; Min Hfe:100; Power Dissipation:250mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Switching
Farnell

Bilder

Nexperia
Farnell
Farnell
TME
Future Electronics
Conrad
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • "MMBT3904,215"
  • MMBT3904,215.
  • MMBT3904215