Nexperia BST52,135
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$ 0.303
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Stock
397,880
561,397
561,397
Authorized Distributors
3
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-89
SOT-89
SOT-89
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
1.3 V
1.3 V
hFE Min
2000
2000
2000
Power Dissipation
-
1.3 W
1.3 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1993-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
ROHM2SD1834T100
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD1898T100Q
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BST52,135, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington NPN 80V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
NPN Darlington Transistor 1.3V@500µA,500mA 1.3W 5V 500nA 90V 80V 1A SOT-89 SMD 4.6mm × 2.6mm × 1.6mm
Transistor, Bipolar Rohs Compliant: Yes |Nexperia BST52,135
1000 mA 80 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-243AA
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)90 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min2000
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
PolarityNPN
Transition Frequency200 MHz
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen