Nexperia BSP62,115

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
$ 0.434
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsBSP62,1157021
VericalBSP62,1157029
TME
2
BSP62.11501
21h
Newark
2
BSP62,11501Cut Tape
AvnetBSP62,11501K
2d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Nexperia BSP62,115 herunter.

Nexperia

Datasheet10 SeitenVor 8 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 8 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 16 Jahren

IHS

element14 APAC

Farnell

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-63.71%
Powered bySpectra logo

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.BCP53TA
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Details
Diodes Inc.BCP5310TA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 150MHz 2W Surface Mount SOT-223
Details
onsemiNZT6729
NZT Series PNP 1 W 80 V 1 A Surface Mount General Purpose Transistor - SOT-223
Details
onsemiPZT2907A
Bipolar Junction Transistor (BJT) PNP 60V 600mA 1W SOT-223
Details
Diodes Inc.BCP5216TA
BCP52 Series PNP 2 W 60 V 1 A Surface Mount Power Transistor - SOT-223
Details
onsemiBCP53
80V 1.3W 250@150mA,2V 1A PNP SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia BSP62,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
IHS
BSP62 Series 80 V 1 A SMT PNP Darlington Transistor - SOT-223
Future Electronics
Transistor Darlington PNP 80V 1A 4-Pin (3+Tab) SC-73 T/R
North Star Micro
TRANS PNP 90V 0.5A SOT223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:2000; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-1.3V; Current Ic Continuous a Max:-500mA; Gain Bandwidth ft Typ:200MHz; Hfe Min:2000; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.25W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington
element14 APAC

Bilder

Nexperia
RS
element14 APAC
Newark
element14 APAC
element14 APAC
TME
Micros
Future Electronics
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)