Diodes Inc. BCP5216TA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BCP5216TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BCP52 Series PNP 2 W 60 V 1 A Surface Mount Power Transistor - SOT-223
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans, Pnp, 60V, 1A, 150Deg C, 2W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. BCP5216TA
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = -1 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = -60 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = -60 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = -5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 2 / Package Type = SOT-223 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = -0.5 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product125 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency150 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.55 mm
Width3.55 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen