Nexperia BCP52,135
$ 0.145
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Nexperia BCP52,135 herunter.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.145
$ 0.131
$ 0.131
Stock
1,113,413
866,710
866,710
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SOT-223
SOT-223
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
60 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
115 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
25
25
25
Power Dissipation
1.5 W
2 W
2 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1993-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
ROHMUMT2907AT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
NXP SemiconductorsPDTA143ZE,115
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-75 T/R
ROHMDTA143EUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BCP52,135, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
BCP52 Series 60 V 1 A PNP Surface Mount Medium Power Transistor - SOT-223
Bipolar Transistors (BJT); BCP52,135; NEXPERIA; PNP; 60 V; 1 A; 4
500mV@ 50mA,500mA PNP 1.35W 5V 100nA 60V 60V 1A SOT-223 SMD mount 1.7mm(height)
Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Avnet Japan
60V 650mW 1A 63@150mA2V 145MHz 500mV@500mA50mA PNP +150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -60V, SOT-223;
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -60V, SOT-223; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -60V; Transition Frequency ft: 145MHz; Power Dissipation Pd: 650mW; DC Collector Current: -1A; DC Current Gain hFE: 63hFE;
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency145 MHz
Gain Bandwidth Product145 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.35 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency115 MHz
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Nexperia BCP52,135 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen