Nexperia BC860C,235
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BC860C,235 | 8.550 | 13h | |||||||||
| Avnet | BC860C,235 | 0 | 60K | 15h | ||||||||
| Aztech | BC860C,235 | 12.851 | 9h | |||||||||
| Worldway Electronics | BC860C,235 | 10.016 | 7 | Tape & Reel | 13h | |||||||
| Cytech Systems | BC860C,235 | 30.000 | 13h |
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$ 0.063
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Stock
137,383
1,734,071
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Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
420
420
420
Power Dissipation
250 mW
250 mW
250 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1993-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiMSB709-RT1
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 210 @ 2mA 10V 100nA 200mW -45V
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BC860C,235, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
BC860 Series 45 V Surface Mount PNP General Purpose Transistor - SOT-23
TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
1nA 45V 250mW 100mA 420@2mA5V 100MHz 250mV@100mA5mA PNP +150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
General Purpose Transistors 50V 100mA PNP SOT23 420~800
100 mA 45 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency Typ, ft:100MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain Max (hfe):420 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Transition Frequency100 MHz
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen