Nexperia BC857BS,115
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Production
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BC857BS,115 | 648.000 | 3K | 13h | ||||||||
| Future Electronics | BC857BS,115 | 39.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | BC857BS,115 | 11.167 | 1 | |||||||||
| Verical | BC857BS,115 | 11.167 | 72 | |||||||||
| TME | BC857BS.115 | 33.023 | 1 | 9h |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Price @ 1000
$ 0.048
$ 0.049
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Stock
6,955,363
1,503,002
1,503,002
Authorized Distributors
6
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-363
TSSOP
TSSOP
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
-
-
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
300 mW
300 mW
300 mW
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.BC857BS-7-F
DIODES INC. - BC857BS-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE
onsemiNST65010MW6T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDC123JU-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BC857BS,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, 200 hFE, 6 Pins, TSSOP (SOT-363)
Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
PNP general purpose double transistor
Bipolar Transistors (BJT); BC857BS,115; NEXPERIA; PNP; 6
BC857 Series 45 V 100 mA SMT Dual PNP General Purpose Transistor - SOT-363
100 mA 45 V 2 CHANNEL PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Bipolar Transistor Array; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:-45V; Transition Frequency Typ, ft:100MHz; Power Dissipation, Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, DUAL, PNP, SC-88; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 45 / DC Current Gain (hFE) = 450 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 200 / Package Type = SOT-323 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 400 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 755
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-45 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen