Nexperia BC846SF
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Price @ 1000
$ 0.06
$ 0.052
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Stock
3,745,309
4,027,155
4,027,155
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
-
-
Polarity
-
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
100 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
110
110
110
Power Dissipation
200 mW
300 mW
300 mW
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2017-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BC846SF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistors - BJT BC846S/SC-88/REEL 13" Q1/T1 *S - TSSOP-6, AEC-Q101.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Bipolar Array, Dual Npn, 65V, 0.1A/Tssop Rohs Compliant: Yes |Nexperia BC846SF
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
300mV@ 5mA,100mA 2 NPN (Dual) 300mW 6V 15nA 80V 65V 100mA TSSOP-6
NPN general purpose double transistor
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
hFE Min110
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
Power Dissipation200 mW
Transition Frequency100 MHz
Datenblätter und Dokumente
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