Nexperia BC807-40,235
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | BC807-40,235 | 88.963 | 4717 | |||||||||
| TME | BC807-40.235 | 0 | 1 | 13h | ||||||||
| Future Electronics | BC807-40,235 | 0 | 10K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BC807-40,235 | 0 | 10K | 1d | ||||||||
| Component Stockers USA | BC807-40,235 | 6.760 | >1wk |
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Stock
2,533,381
9,078,086
Authorized Distributors
4
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
-45 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
80 MHz
80 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
hFE Min
250
250
Power Dissipation
250 mW
250 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1993-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.MMBT3906-7-F
Single Bipolar Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT4401-13-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
onsemiKSA1182YMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.MMBT4401-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BC807-40,235, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single Bipolar Transistor, PNP, 45 V, 500 mA, 345 mW, SOT-23 (TO-236AB), 3 Pins, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Trans Gp Bjt Pnp 45V 0.5A Automotive 3-Pin To-236Ab T/R
45V 250mW 500mA 250@100mA1V 80MHz 700mV@500mA50mA PNP +150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 500 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 45 / DC Current Gain (hFE) = 600 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 80 / Power Dissipation (Pd) mW = 250 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 700 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 1.2
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency80 MHz
Gain Bandwidth Product80 MHz
hFE Min250
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency80 MHz
Voltage50 V
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen