Microchip APT20M45BVRG
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Lieferkette
Projected EOL Date2044-04-30
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationJapan
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFP4332PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 360 W
InfineonIRFP260NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 50A;TO-247AC;PD 300W;VGS +/-20V
InfineonIRFP4227PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 330 W
Beschreibungen
Beschreibungen von Microchip APT20M45BVRG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet Mos5 200 V 45 Mohm To-247 3 To-24; |Microchip Technology APT20M45BVRG
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
MOSFET MOS 5 200 V 45 mOhm TO-247
300W(Tc) 30V 4V@1mA 195nC@ 10V 1individualNChannel 200V 45mΩ@ 500mA,10V 4.86nF@25V TO-247 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
Microchip verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Microchip ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Current Rating56 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)200 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance4.86 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height25.96 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen