Littelfuse IXTY1N80P
$ 1.52
Production
Preis und Lagerbestand
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Verwandte Teile
onsemiSSR1N60BTM-WS
Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIPD80R1K4P7ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4 A, 1.4 Ohm, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Littelfuse IXTY1N80P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Disc Mosfet N-Ch Std-Polar To-252D/ Tube |Littelfuse IXTY1N80P
Polar™ Series - 100V - 1200V N-Channel Standard Power MOSFETs, TO-252, RoHS
Littelfuse SCT
MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
N-CH SINGLE 800V TO252D
Aliasnamen des Herstellers
Littelfuse verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Littelfuse ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Resistance14 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation42 W
Rds On Max14 Ω
Reverse Recovery Time700 ns