ISSI IS61LPS25636A-200TQLI
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) Code3A991.b.2.a
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.41
Introduction Date2005-02-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 year ago)
Verwandte Teile
IC, SRAM, 9 Mbit, 256K x 8bit, 3.1 ns Access Time, 3.135 V to 3.465 V supply, TQFP-100
8MB,"""NO-WAIT""""/PIPELINE,SYNC,256K X 36,200MHZ,3.3V I/O,100 PIN TQFP, ROHS"
InfineonCY7C1360C-200AXC
CY7C1360C 9 Mb (256 K x 36) 3.3 V 200 MHz Synchronous Pipelined SRAM - TQFP-100
InfineonCY7C1360C-200AJXC
CY7C1360C 9 Mb (256 K x 36) 3.3 V 200 MHz Synchronous Pipelined SRAM - TQFP-100
InfineonCY7C1354C-200AXC
CY7C1354CV25 9 Mb (256 K x 36) 200 MHz 3.3 V Pipelined SRAM - TQFP-100
Beschreibungen
Beschreibungen von ISSI IS61LPS25636A-200TQLI, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
9Mb £¨256K x 36£© 256 k x 36 3.135V 275mA 3.465V 200MHz Parallel QFP
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 100-Pin TQFP
Memory - SRAM, Pipeline, Synchronous 8Mb,256Kx36,200Mhz, 3.3v I/O
3A991.B.2.A Surface Mount Tray 256KX36 ic memory 200MHz 3.1ns 20mm 275mA
256K X 36, 9 MBIT SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100
3.135V~3.465V 9Mbit TQFP-100(14x20) SRAM ROHS
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
SRAM, 9MBIT, PARALLEL, 3.1NS TQFP100
Static Random Access Memory (SRAM)
8MB,PIPELINE,SYNC,256K X 36,20 <NV
RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 24V
Sram, 9Mbit, Parallel, 3.1Ns Tqfp100; Sram Type:Pipelined Sram; Memory Configuration:256K X 36Bit; Ic Case/Package:Tqfp; No. Of Pins:100Pins; Supply Voltage Min:3.135V; Supply Voltage Max:3.465V; Supply Voltage Nom:3.3V Rohs Compliant: Yes |Integrated Silicon Solution (Issi) IS61LPS25636A-200TQLI
Aliasnamen des Herstellers
ISSI verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ISSI ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ISSI Integrated Silicon Solution Inc
- ICSI
- ISS
- Integrated Silicon Solution Inc
- INTEGRATED SILICON SOLUTION
- Integrated Silicon Solution Inc (ISSI)
- Integrated Silicon Solutions
- INTEGRATED SILICON S
- INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
- INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION
- ISSI(Integrated Silicon Solution)
- INTEGRATED SILICON SOLUTIONS (ISSI)
- ISSI INC
- Integrated Circuit Solution Inc
- ISSI/ICSI
- INTEGRATED SILICON SOLUTIONS INC
- INTEGRATED SILICON SOLUTI
- INTEGRATED CIRCUIT SOLUTI
- ISSI/INTEGRATED
- ISSI Integrated Silicon Solut
- ISSI (INTEGRATED SILICON SOLUTIONS)
- ISSI Integrated Silicon
- ISSI (INTEGRATED SILICON SOLU
- Integrated Silicon Solutions Inc(ISSI)
- ISSI/HIT
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageLQFP
Number of Pins100
Number of Terminals100
Technical
Access Time3.1 ns
Address Bus Width18 b
Density9 Mb
Frequency200 MHz
InterfaceParallel
Max Frequency200 MHz
Max Operating Temperature85 °C
Max Supply Current275 mA
Max Supply Voltage3.465 V
Memory TypeRAM, SRAM
Min Operating Temperature-40 °C
Min Supply Voltage3.135 V
Nominal Supply Current275 mA
Number of Circuits1
Number of Ports4
Number of Words256000
Operating Supply Voltage3.3 V
Sync/AsyncSynchronous
Temperature GradeIndustrial
Word Size36 b
Dimensions
Height - Seated (Max)1.6 mm
Length20 mm
Terminal Pitch650 µm
Width14 mm
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