Infineon SPW21N50C3FKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
$ 1.7
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsSPW21N50C3FKSA11
22h
FarnellSPW21N50C3FKSA101
22h
Win Source
2
WS-SPW21N50C3FKSA111.54026
23h
Worldway Electronics
2
SPW21N50C311.1087
22h
IC Components Ltd.SPW21N50C33.687
4d

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

element14 APAC

TME

iiiC

Farnell

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-03-31
LTD Date2020-09-30

Verwandte Teile

InfineonIPW50R140CPFKSA1
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-247, Through Hole
Details
InfineonIPW60R125CPFKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 25 A, 0.11 ohm, TO-247, Through Hole
Details
InfineonIPW60R160C6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-247, Through Hole
Details
STMicroelectronicsSTW32NM50N
N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
Details
STMicroelectronicsSTW33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
Details
STMicroelectronicsSTW28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon SPW21N50C3FKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
Semicontronic
MOSFET, N, 500V, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):190mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:208W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:21A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:208W; Power Dissipation Pd:208W; Pulse Current Idm:63A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:500V; Voltage Vds Typ:560V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
Replacement for 500V CoolMOS C3 is 500V CoolMOS CE >> Click & go to 500V CoolMOS CE | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
Infineon

Bilder

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Farnell
iiiC
TME
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SPW21N50C3
  • SPW21N50C3FKSA1.