STMicroelectronics STW32NM50N
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10
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N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
InfineonIPW60R160P6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 23.8 A, 160 mOhm, TO-247, 3 Pins, Through Hole
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW32NM50N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 22 A, 0.1 ohm, TO-247, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
500V 22A 130m´Î@10V11A 190W 4V@250Ã×A N Channel TO-247AC MOSFETs ROHS
MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
N-Ch 500V 22A 190W 0,13R TO247
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Power MOSFETs, 500V, 22A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
Mosfet, N-Ch, 500V, 22A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:22A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW32NM50N
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.973 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time9.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
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