Infineon SPP24N60C3XKSA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-02
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Verwandte Teile
onsemiFCP190N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 20.6 A, 190 mΩ, TO-220
InfineonIPP60R165CPXKSA1
192W 20V 2.5V 39nC@ 10V 1N 650V 165m¦¸@ 10V 21A 2nF@ 100V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPP24N60C3XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin TO-220 Tube
Power Field-Effect Transistor, 24.3A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Replacement for 600V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7600V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.
MOSFET, N, COOLMOS, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24.3A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):160mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:240W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 25°C:24.3A; Current Id Max:24.3A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:240W; Power Dissipation Pd:240W; Power Dissipation Ptot Max:240W; Pulse Current Idm:72.9A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:650V; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3.9V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24.3 A
Current Rating24.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation240 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance160 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation240 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time21 ns
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)650 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen