Infineon SPP08N80C3XKSA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPA60R460CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTF11N65M5
N-channel 650 V, 0.43 Ohm typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPP08N80C3XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 800 V 8 A (Tc) 104 W (Tc) Through Hole Power MOSFET - PG-TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
800V 8A 104W 650m´Î@10V5.1A 3.9V@470Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Replacement for CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7800V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.
MOSFET, N COOLMOS TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.65ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipa
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 8 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 800 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 650 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 10 / Rise Time ns = 15 / Turn-OFF Delay Time ns = 72 / Turn-ON Delay Time ns = 25 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 104
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Current Rating8 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance650 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance650 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation104 W
Rds On Max650 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height15.95 mm
Length10.36 mm
Width4.57 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen