Infineon IPP90R800C3XKSA2
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-30
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2020-12-31
LTD Date2021-06-30
Verwandte Teile
InfineonIPA90R800C3XKSA2
Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 900V 6.9A 3-Pin TO-220FP
InfineonSPA07N60C3XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220F, Through Hole
STMicroelectronicsSTF11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP90R800C3XKSA2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 900V 6.9A 3-Pin TO-220
N-Channel 900 V 6.9 A 104 W 800 mOhm Through Hole Mosfet - PG-TO220-3
Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 900V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 900V, 6.9A, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:900V; Continuous Drain Current Id:6.9A; On Resistance Rds(On):0.62Ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes |Infineon IPP90R800C3XKSA1
900V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:6.9A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:104W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Dual Supply Voltage900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
On-State Resistance800 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation104 W
Rds On Max800 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time400 ns
Turn-On Delay Time70 ns
Dimensions
Height15.95 mm
Length10.36 mm
Width4.57 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen