Infineon SPI20N60CFD
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.86
Stock
54,023
40,969
Authorized Distributors
1
1
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-262-3
TO-262-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
20.7 A
20.7 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
220 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
208 W
-
Input Capacitance
2.4 nF
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-08-31
LTD Date2015-02-28
Verwandte Teile
InfineonSPI21N50C3XKSA1
Cool MOS™ Power Transistor / Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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STMicroelectronicsSTI21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPI20N60CFD, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Transistor, Cool MOS, 650V, 20.7A, 3-pin TO-262
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, 3 PIN
MOSFET, N, TO-262; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:20.7A; On State Resistance:0.22ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-262; ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Dual Supply Voltage650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation208 W
Rds On Max220 mΩ
Rise Time15 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time59 ns
Datenblätter und Dokumente
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