Infineon SPD30P06PGBTMA1
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPD30P06PGBTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANSISTOR, MOSFET, P-CHANNEL, -60V, 0.075 OHM, -30A, TO252-3, SIPMOS POWER
Single P-Channel 60 V 75 mOhm 32 nC SIPMOS® Power Mosfet - TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:30A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:125W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies SPD30P06PGBTMA1.
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 30 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 75 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 20 / Rise Time ns = 11 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Power Dissipation (Pd) W = 125
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.228 nF
Max Dual Supply Voltage-60 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance75 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation125 W
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height2.5 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen