Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FDD5810 | 243 | 21h | |||||||||
| Avnet | FDD5810 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Microchip USA | FDD5810 | 286 | 300 | Bulk | 13h | |||||||
| Win Source | WS-591073 | 15.000 | 40 | 22h | ||||||||
| Worldway Electronics | FDD5810 | 17.730 | 7 | Tape & Reel | 21h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDD5810 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-01-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-09-23
LTD Date2011-03-23
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD30NF06LT4
N-Channel 60V - 0.022Ohm - 35A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTD35NF06LT4
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ., 35 A StripFET II Power MOSFET in a DPAK package
InfineonIRFR2607ZPBF
INFINEON IRFR2607ZPBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
InfineonIPD053N06NATMA1
3KW 20V 2.8V(Typ) 27nC@ 10V 1N 60V 5.3m¦¸@ 10V 2nF@ 30V TO-252 6.5mm*622cm*2.51mm
InfineonIPD350N06LGBTMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDD5810, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANS MOSFET N-CH 60V 7.7A 3PIN DPAK
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs LOW_VOLTAGE
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:7.4A; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):43mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation, Pd:72W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.7 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.89 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation72 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation88 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDD5810 herunter.