Infineon SPD15P10PGBTMA1
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NRND
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-13
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPD15P10PGBTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel 100 V 240 mOhm 37 nC SIPMOS® Power Mosfet - DPAK
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, P-CH, 100V, 15A, TO252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-15A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:128W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance240 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance961 pF
Max Dual Supply Voltage-100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation128 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Elements1
On-State Resistance240 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation128 W
Rds On Max240 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Dimensions
Height2.41 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeContains Lead, Lead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen