Infineon SMBT2222AE6327HTSA1
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Stock
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
300 mV
300 mV
hFE Min
40
75
75
Power Dissipation
330 mW
225 mW
225 mW
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-12-31
Verwandte Teile
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SMBT2222AE6327HTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Bipolar Transistors (BJT); SMBT2222AE6327HTSA1; INFINEON TECHNOLOGIES; NPN; 3; 40 V; 600 mA
SMBT2222A Series NPN 40 V 600 mA SMT Silicon Switching Transistor - SOT-23-3
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Transistor, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:330mW;
Transistor, Npn, Sot-23; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:40V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:330Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:300Mhz Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies SMBT2222AE6327HTSA1
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 600 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 40 / DC Current Gain (hFE) = 300 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 75 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 6 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 300 / Power Dissipation (Pd) mW = 330 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 1 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 2
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current600 mA
Current Rating600 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Fall Time60 ns
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation330 mW
Rise Time25 ns
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.1 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen