Infineon JANTXV2N6851
$ 58.8
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 58.8
$ 18
$ 18
Stock
14,141
27,222
27,222
Authorized Distributors
1
1
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-39
TO-39
TO-39
Drain to Source Voltage (Vdss)
-200 V
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
4 A
4 A
4 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
25 W
25 W
25 W
Input Capacitance
-
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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InfineonJANTX2N6800
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
InfineonJANTX2N6851
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon JANTXV2N6851, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package, TO-205AF-3
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39
4 A 200 V 0.8 ohm P-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-205AF
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance1.68 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-200 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance800 mΩ
PackagingBulk
Power Dissipation25 W
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height4.57 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen