Infineon JANTX2N7221
$ 140.59
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Verwandte Teile
InfineonIRF9Z24NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.175Ohm;ID -12A;TO-220AB;PD 45W;VGS +/-20V
InfineonIRFU9024NPBF
MOSFET, Power; P-Channel; 20 Volts (Max.); -11 A (Max.); 38 W; 13 ns (Typ.)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon JANTX2N7221, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package, TO-254AA-3
Infineon SCT
N Channel 400 V 10 A 0.55 Ohm Through Hole Power Mosfet - TO 252AA
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin (3+Tab) TO-254AA
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance700 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance600 mΩ
PackagingBulk
Power Dissipation125 W
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen